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| 原子层沉积_Automic Basic |
| 型号： Automic Basic |
| 品牌： CN1 |
| 参数： 晶片尺寸：≤ 6″晶片 |
| 用途： 原子层沉积（ALD）技术的用途极为广泛，它凭借在原子尺度上精确控制薄膜厚度和制备完美保形涂层的能力，已从最初的半导体制造扩展到了许多前沿科技领域。 |
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| 原子层沉积_Automic Classic |
| 型号： Automic Classic |
| 品牌： CN1 |
| 参数： 基底尺寸：4~8”标准（晶片） |
| 用途： 原子层沉积（ALD）技术的用途极为广泛，它凭借在原子尺度上精确控制薄膜厚度和制备完美保形涂层的能力，已从最初的半导体制造扩展到了许多前沿科技领域。 |
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| 原子层沉积_Automic Mega |
| 型号： Automic Mega |
| 品牌： CN1 |
| 参数： 基底尺寸：4 ~ 12”标准（晶片） |
| 用途： 原子层沉积（ALD）技术的用途极为广泛，它凭借在原子尺度上精确控制薄膜厚度和制备完美保形涂层的能力，已从最初的半导体制造扩展到了许多前沿科技领域。 |
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| 原子层沉积_Automic Premium |
| 型号： Automic Premium |
| 品牌： CN1 |
| 参数： 基底尺寸：4 ~ 12”标准（晶片） |
| 用途： 原子层沉积（ALD）技术的用途极为广泛，它凭借在原子尺度上精确控制薄膜厚度和制备完美保形涂层的能力，已从最初的半导体制造扩展到了许多前沿科技领域。 |
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| 原子层沉积_Automic Shell |
| 型号： Automic Shell |
| 品牌： CN1 |
| 参数： 晶片尺寸：≤ 6″晶片 |
| 用途： 原子层沉积（ALD）技术的用途极为广泛，它凭借在原子尺度上精确控制薄膜厚度和制备完美保形涂层的能力，已从最初的半导体制造扩展到了许多前沿科技领域。 |
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提供韩国CN1-ALD原子层沉积设备
上海沉汇仪器有限公司提供韩国CN1 ALD原子层沉积设备，适用于半导体制造（高k栅介质、铜扩散阻挡层）、光伏电池钝化、催化、MEMS封装、光学涂层及锂电池材料改性，可实现复杂表面均匀致密的纳米薄膜沉积。
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